第三单元 物质结构研究的意义 知识点题库

（1） Z在元素周期表中位于 族

（2） 上述元素的最高价氧化物对应的水化物中，有一种物质在一定条件下均能与其它三种物质发生化学反应，该元素是　 （填元素符号）．

（3） ①下列可作为比较X和Y金属性强弱的依据是　 　 （填序号）．

a．自然界中的含量 b．相应氯化物水溶液的pH

c．单质与水反应的难易程度              d．单质与酸反应时失去的电子数

②从原子结构的角度解释X的金属性强于Y的原因： 　，原子半径X＞Y，所以原子核对最外层电子的吸引力X＜Y，失电子能力X＞Y．

（4） W的一种氢化物HW₃可用于有机合成，其酸性与醋酸相似．体积和浓度均相等的HW₃与X的最高价氧化物对应的水化物混合，反应的化学方程式是 ，混合后溶液中离子浓度由大到小的顺序是 

（5）

Y单质和Mg组成的混合物是一种焰火原料，某兴趣小组设计如下所示的实验方案，测定混合物中Y的质量分数．

能确定混合物中Y的质量分数的数据有　 　（填序号）．

a．m、n                    b．m、y                    c．n、y．

（1） 写出元素符号：X，Y，Z，W．

（2） Z、W两元素最高价氧化物对应水化物反应的方程式是．

（3） 把Z的单质（片状）放入滴有酚酞的沸水中，观察到的现象是，反应的化学方程式是．

（1） 基态溴原子的核外电子排布式为[Ar]。

（2） 在一定浓度的HF溶液中，氟化氢是以缔合形式(HF)₂存在的。使氟化氢分子缔合的作用力是。

（3） HIO₃的酸性(填“强于”或“弱于”) HIO₄ ， 原因是。

（4） ClO₂^-中心氯原子的杂化类型为，ClO₃^-的空间构型为。

（5） 晶胞有两个基本要素：①原子坐标参数：表示晶胞内部各微粒的相对位置。下图是CaF₂的晶胞，其中原子坐标参数A处为(0，0，0)；B处为( ， ，0)；C处为(1，1，1)。则D处微粒的坐标参数为。

 

②晶胞参数：描述晶胞的大小和形状。已知CaF₂晶体的密度为cg·cm^-3 ， 则晶胞中Ca²⁺与离它最近的F^-之间的距离为nm (设N_A为阿伏加德罗常数的值，用含C、N_A的式子表示；相对原子质量：Ca 40  F 19)。

（1） 写出上述制备硅的化学反应方程式。

（2） 二氧化硅与二氧化碳物理性质差别很大，原因是。

（3） 盐X的溶液能与Al₂(SO₄)₃溶液反应生成一种白色沉淀和气体。写出此反应的离子反应方程式。

（4） Ⅱ、某盐A有3种元素组成，易溶于水。将A加热，生成既不助燃，也不使湿润的红色或蓝色石蕊试纸变色的气体B和H₂O。将A溶于水，进行下列实验：①酸性条件下与H₂S作用生成淡黄色沉淀C，同时放出无色气体D，D在空气中转变为红棕色气体E；②当通入足量Cl₂时，无明显现象，但将所得溶液浓缩后即可得到无色晶体盐F。请回答下列问题：

写出A的化学式：； B的电子式：。

（5） 写出上述实验①、②所发生的离子反应方程式：①；②。

（6） D、E对环境有危害，可用NaOH溶液来吸收等物质的量的D、E混合气体，写出其化学反应方程式。

（7） 判断盐F的可能成分；设计实验方案确定F的成分。

（1） 基态Sn原子价层电子的空间运动状态有种，基态氧原子的价层电子排布式不能表示为 ，因为这违背了原理（规则）。

（2） [B（OH）₄] ^－中氧原子的杂化轨道类型为，[B（OH）₄] ^－的空间构型为。 [Sn（OH）₆] ^2－中，Sn与O之间的化学键不可能是。

a． 键         b．σ键            c．配位键          d．极性键

（3） 碳酸钡、碳酸镁分解得到的金属氧化物中，熔点较低的是（填化学式），其原因是。

（4） 超高热导率半导体材料——砷化硼（BAs）的晶胞结构如下图所示，则1号砷原子的坐标为。已知阿伏加德罗常数的值为N_A ， 若晶胞中As原子到B原子最近距离为a pm，则该晶体的密度为g·cm^－3（列出含a、N_A的计算式即可）。

（1） 比较结合H^＋能力的相对强弱：H₂O(填“>”“<”或“＝”)NH₃；用一个化学方程式说明H₂O和NH₃结合H^＋能力的相对强弱：。

（2） NaNH₂是离子化合物，各原子均满足8电子或2电子稳定结构。写出NaNH₂的电子式：。

（3） 异丁烷的沸点低于正丁烷，原因是。

（1） 基态P原子中，电子占据的最高能级符号为，基态N原子核外有种运动状态不同的电子。

（2） C、N、O三种元素电负性从大到小的顺序为；第一电离能χ(P)χ(Cl)(填“＞”或“＜”)。

（3） 磷酸氯喹中N原子的杂化方式为，NH₃是一种极易溶于水的气体，其沸点比AsH₃的沸点高，其原因是。

（4） GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体碳化硅类似，熔点如表所示，

	GaN	GaP	GaAs
熔点/℃	1700	1480	1238

①GaN、GaP、GaAs的熔点变化原因是。

②砷化镓晶体中含有的化学键类型为(填选项字母)。

A．离子键     B．配位键    C．σ键     D．π键     E.极性键     F.非极性键

③以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置。称作原子分数坐标。如图为沿y轴投影的磷化镓晶胞中所有原子的分布图。若原子1的原子分数坐标为(0.25，0.25，0.75)，则原子2的原子分数坐标为；若磷化镓的晶体密度为ρg·cm^-3 ， 阿伏加德罗常数的值为N_A ， 则晶胞中Ga和P原子的最近距离为pm(用代数式表示)。

（1） X、Y、W的第一电离能由大到小的顺序是 (填字母对应的元素符号)。

（2） 已知元素Z的某钾盐(KH₂ZO₄)是其酸(H₃ZO₂)的正盐，则酸H₃ZO₂的结构式为 (元素Z用对应的元素符号书写)。

（3） 已知元素X、Z相关键的键能(kJ•mol^-1)如表：从能量角度看，X元素形成的单质以X₂、而Z元素形成的单质Z₄(结构式可表示为)形式存在的原因是。

X—X	X≡X	Z—Z	Z≡Z
193	946	197	489

（4） 元素W的含氧酸根离子(WO)的空间构型为，与之互为等电子体的阴离子有 (写出一种离子符号；等电子体指化学通式相同且价电子总数相等的分子或离子)。

（5） 对于基态Q原子，下列叙述正确的是____ (填标号)。

（6） 向盛有QSO₄水溶液的试管里加入氨水，首先形成难溶物，继续添加氨水，难溶物溶解得到深蓝色的透明溶液。分离出所得溶质化合物[Q(NH₃)₄(H₂O)₂]SO₄ ， 然后加热该化合物固体，首先失去的组分是，理由是。