速度选择器 知识点题库

如图所示为质谱仪测定带电粒子质量的装置的示意图.速度选择器(也称滤速器)中场强E的方向竖直向下,磁感应强度B1的方向垂直纸面向里,分离器中磁感应强度B2的方向垂直纸面向外.在S处有甲、乙、丙、丁四个一价正离子垂直于EB1入射到速度选择器中,若 , 在不计重力的情况下,则分别打在P1P2P3P4四点的离子分别是( )

A . 乙甲丙丁 B . 甲丁乙丙 C . 丙丁乙甲 D . 丁甲丙乙
如图是测定带电粒子比荷的一种装置.图中点划线PQ是装置的轴线,A是粒子源,某一带电粒子(不计重力)自小孔飞出,经电场加速后沿轴线PQ进入装置C;装置C中有一对平行金属板,板间存在正交的电磁场,已知磁场的磁感应强度为B1 , 两极板间距为d,极板间的电势差为U;装置D是一半径为r、磁感应强度为B2、圆心在PQ上的圆形匀强磁场区域. 若某带电粒子(不计重力)经电场加速后,恰好沿轴线PQ直线通过装置C,并沿轴线PQ方向进入装置D,经D中的磁场发生偏转,最后从圆形区域边界上的G点射出,已知G 点到轴线PQ的距离为 r.求:

  1. (1) 粒子离开装置C的速度大小;

  2. (2) 粒子的比荷

如图所示为质谱仪的工作原理图,初速度忽略不计的带电粒子进入加速电场,经加速电场加速后进入速度选择器,在速度选择器中做直线运动通过平板S的狭缝P进入平板S下的偏转磁场,磁场的方向垂直于纸面,磁感应强度大小为B2 , 粒子最终打在胶片A1A2上,粒子打在胶片上的位置离狭缝P距离为L,加速电场两板间的电压为U,速度选择器两板间的电场强度大小为E,不计粒子的重力,则下列判断正确的是(   )

A . 速度选择器两板间磁场的方向垂直于纸面向里 B . 平板S下面的偏转磁场方向垂直于纸面向外 C . 粒子经加速电场加速后获得的速度大小为 D . 速度选择器两板间磁场的磁感应强度大小为
如图所示,速度选择器中匀强电场的电场强度为E,匀强磁场的磁感应强度为B1 , 挡板右侧质谱仪中匀强磁场的磁感应强度为B2 . 速度相同的一束粒子(不计重力),由左侧沿垂直于E和B1的方向射入速度选择器后,又进入质谱仪,其运动轨迹如图所示,则下列说法中正确的是(   )

A . 该束带电粒子带负电 B . 能通过狭缝S0的带电粒子的速率等于 C . 粒子打在胶片上的位置越远离狭缝S0 , 粒子的比荷 越小 D . 能通过狭缝S0的带电粒子进入质谱仪后运动半径都相同
如图所示,一带电粒子沿x轴正方向进入一个垂直纸面向里的匀强磁场中,若要使该粒子所受合外力为零(重力不计),应该加的匀强电场的方向是(   )

A . +y方向 B . ﹣y方向 C . ﹣x方向 D . 因不知q的正负,无法确定
在方向如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)共存的场区,一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区,则(   )

A . 若v0 ,电子沿轨迹Ⅰ运动,射出场区时,速度v>v0 B . 若v0 ,电子沿轨迹Ⅱ运动,射出场区时,速度v<v0 C . 若v0 ,电子沿轨迹Ⅰ运动,射出场区时,速度v>v0 D . 若v0 ,电子沿轨迹Ⅱ运动,射出场区时,速度v<v0
如图所示,有一磁感应强度为B,方向竖直向下的匀强磁场,一束电子流以初速度v0从水平方向射入,为了使电子流经过磁场时不偏转(不计重力),则磁场区域内必须同时存在一个匀强电场,这个电场的方向大小和方向是(   )

A . , 竖直向上 B . , 水平向左 C . Bv0 , 垂直纸面向外 D . Bv0 , 垂直纸面向里
如图所示为一速度选择器,也称为滤速器的原理图。K为电子枪,由枪中沿KA方向射出的电子,速率大小不一。当电子通过方向互相垂直的匀强电场和磁场后,只有一定速率的电子能沿直线前进,并通过小孔S。设产生匀强电场的平行板间的电压为300 V,间距为5 cm,垂直于纸面的匀强磁场的磁感应强度为0.06 T,问:

  1. (1) 磁场的指向应该向里还是向外?
  2. (2) 速度为多大的电子才能通过小孔S?
如图,一束质量、速度和电荷量不全相等的离子,沿同一直线经过由正交的匀强电场和匀强磁场组成的速度选择器后,进入另一个匀强磁场中分成A、B两束,下列说法正确的是(   )

A . A,B束离子都带正电 B . A,B束离子质量一定不同 C . 速度选择器中的磁场方向垂直纸面向外 D . A束离子的比荷( )大于B束离子的比荷
如图是质谱仪的工作原理示意图.带电粒子被加速电场加速后,进入速度选择器.速度选择器内相互正交的匀强磁场和匀强电场的强度分别为B和E.平板S上有可让粒子通过的狭缝P和记录粒子位置的胶片A1A2 . 平板S下方有磁感应强度为B0的匀强磁场.下列表述正确的是(  )

A . 能通过狭缝P的带电粒子的速率等于 B . 速度选择器中的磁场方向垂直纸面向外 C . 质谱仪是一种可测定带电粒子比荷的仪器 D . 粒子打在胶片上的位置越靠近狭缝P,粒子的比荷越大
一束硼离子以不同的初速度,沿水平方向经过速度选择器,从O点进入方向垂直纸面向外的匀强偏转磁场区域,分两束垂直打在O点正下方的离子探测板上P1和P2点,测得OP1:OP2=2:3,如图甲所示.速度选择器中匀强电场的电场强度为E,匀强磁场的磁感应强度为B1 , 偏转磁场的磁感应强度为B2 . 若撤去探测板,在O点右侧的磁场区域中放置云雾室,离子运动轨迹如图乙所示.设离子在云雾室中运动时受到的阻力Ff=kq,式中k为常数,q为离子的电荷量.不计离子重力.求

  1. (1) 硼离子从O点射出时的速度大小;
  2. (2) 两束硼离子的电荷量之比;
  3. (3) 两种硼离子在云雾室里运动的路程之比.
如图所示为速度选择器,在平行带电金属板间有垂直纸面向里的匀强磁场,两板电势差为U,距离为d,质量为m、电量为e的质子以速度v从左侧水平进入后未发生等转,沿直线射出, 不计重力 则下列说法正确的是(   )

A . 若电子以速度v从左侧水平进入时,则一定向上偏转 B . 若电子以速度v从右侧水平进入时,则沿直线射出 C . 若质子以速度v从右侧水平中线进入打在下极板上,则打在极板上的速度大小为 D . 若磁场的磁感应强度增大,则质子可能打在上极板上
如图所示为质谱仪上的原理图,M为粒子加速器,电压为U1=5000V;N为速度选择器, 磁场与电场正交,磁感应强度为B1=0.2T,板间距离为d =0.06m;P为一个边长为l的正方形abcd的磁场区,磁感应强度为B2=0.1T,方向垂直纸面向外,其中dc的中点S开有小孔,外侧紧贴dc放置一块荧光屏。今有一比荷为 的正离子从静止开始经加速后,恰好通过速度选择器,从a孔以平行于ab方向进入abcd磁场区,正离子刚好经过小孔S 打在荧光屏上。求:

  1. (1) 粒子离开加速器时的速度v;
  2. (2) 速度选择器的电压U2
  3. (3) 正方形abcd边长l。
长为L的平行板电容器沿水平方向放置,其极板间的距离为d,电势差为U,有方向垂直纸面向里的磁感应强度大小为B的匀强磁场.荧光屏MN与电场方向平行,且到匀强电、磁场右侧边界的距离为x,电容器左侧中间有发射质量为m带+q的粒子源,如图甲所示.假设a、b、c三个粒子以大小不等的初速度垂直于电、磁场水平射入场中,其中a粒子沿直线运动到荧光屏上的O点;b粒子在电、磁场中向上偏转;c粒子在电、磁场中向下偏转.现将磁场向右平移与电场恰好分开,如图乙所示.此时,a、b、c粒子在原来位置上以各自的原速度水平射入电场,结果a粒子仍恰好打在荧光屏上的O点;b、c中有一个粒子也能打到荧光屏,且距O点下方最远;还有一个粒子在场中运动时间最长,且打到电容器极板的中点.求:

  1. (1) a粒子在电、磁场分开后,再次打到荧光屏O点时的动能;
  2. (2) b,c粒子中打到荧光屏上的点与O点间的距离(用x、L、d表示);
  3. (3) b,c中打到电容器极板中点的那个粒子先、后在电场中,电场力做功之比.
如图所示,水平放置的平行金属板a、b带有等量异种电荷,a板带正电,有垂直于纸面向里的匀强磁场,若一个带正电的液滴在两板间做直线运动,其运动的方向是(  )

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A . 沿竖直方向向下 B . 沿竖直方向向上 C . 沿水平方向向左面 D . 沿水平方向向右
1922年英国物理学家阿斯顿因质谱仪的发明、同位素和质谱的研究荣获了诺贝尔化学奖.若速度相同的同一束粒子由左端射入质谱仪后的运动轨迹如图所示,则下列相关说法中正确的是(   )

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A . 该束带电粒子带负电 B . 速度选择器的P1极板带正电 C . 在B2磁场中运动半径越大的粒子,质量越大 D . 在B2磁场中运动半径越大的粒子,荷质比 越大
关于洛伦兹力的应用,下列说法正确的是(  )

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A . 图甲是用来加速带电粒子的回旋加速器的示意图,要想粒子获得的最大动能增大,可增加电压U B . 图乙是磁流体发电机的结构示意图,可以判断出A极板是发电机的负极,B极板是发电机的正极 C . 图丙是速度选择器,带电粒子能够沿直线匀速通过速度选择器的条件是 D . 图丁是质谱仪的主要原理图。其中 在磁场中偏转半径最小的是
如图所示,三个粒子a、b、c分别以的速率进入速度选择器,a粒子打在速度选择器的上极板,b和c粒子沿直线运动后进入偏转磁场,b粒子打在点,c粒子打在点,不计粒子重力,下列说法正确的是( )

A . 上极板比下极板的电势低 B . 一定有 C . a、b粒子一定都带负电 D . b粒子的比荷一定大于c粒子的比荷
在芯片制造过程中,离子注入是芯片制造重要的工序。甲图是我国自主研发的离子注入机,乙图是离子注入机的部分工作原理示意图。从离子源发出的离子经电场加速后沿水平方向先通过速度选择器,再进入磁分析器,磁分析器是中心线半径为R的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔,利用磁分析器选择出特定比荷的离子后经N点打在硅片(未画出)上,完成离子注入。已知速度选择器和磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B、方向均垂直纸面向外;速度选择器中匀强电场的电场强度大小为E。整个系统置于真空中,不计离子重力。求:

  1. (1) 能从速度选择器中心线通过的离子的速度大小v;
  2. (2) 能通过N打到硅片上的离子的比荷 ,并判断该离子的带电性质。
如图所示,M、N为速度选择器的上、下两个带电极板,两极板间有匀强电场和匀强磁场。匀强电场的场强大小为E、方向由M板指向N板,匀强磁场的方向垂直纸面向里。速度选择器左右两侧各有一个小孔P、Q,连线 与两极板平行。某种带电微粒以速度v从P孔沿 连线射入速度选择器,从Q孔射出。不计微粒重力,下列判断正确的是(   )

A . 带电微粒一定带正电 B . 匀强磁场的磁感应强度大小为 C . 若将该种带电微粒以速率v从Q孔沿 连线射入,不能从P孔射出 D . 若将该带电微粒以 的速度从P孔沿 连线射入后将做类平抛运动