题目

综合性学习。（共11分）七年级一班班委会为了激励同学们勤奋学习，学会做人，特召开了一次“我们该如何成长”的主题班会。现在也请你来参加。【小题1】请写出你的座右铭。（2分）【小题2】打开你心灵的那扇窗，诉说你曾经的“挫折”。（不超过60字）（5分）【小题3】你将把哪位名人作为你学习的榜样，为什么？（4分）第三代半导体材料氮化镓（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_______，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______，其中σ键的对称方式为______。与CN-互为等电子体的分子为__________。(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________，NF3的空间构型为_________。(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如表所示，分析其变化原因_____________。GaNGaPGaAs熔点1700℃1480℃1238℃(5)GaN晶胞结构如图所示：晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_________；