有下列实验操作:
GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔点/℃ | ﹣49.5 | 26 | 146 |
沸点/℃ | 83.1 | 186 | 约400 |
晶胞有两个基本要素:①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置,如图为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数A为(0,0,0);B为( ,0, );C为( , ,0).则D原子的坐标参数为.
②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状,已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76pm,其密度为 g•cm﹣3(列出计算式即可).
①H3PO4 ②HClO ③H3BO3 ④HNO2
原因是.
已知:CuCl2溶液与乙二胺(H2N﹣CH2﹣CH2﹣NH2)可形成配离子[Cu(En)2]2+ (En是乙二胺的简写):
请回答下列问题:
①该配合物中含有化学键有(填字母编号)。
A.离子键 B.极性共价键 C.非极性共价键 D.配位键 E.金属键
②配体乙二胺分子中氮原子、碳原子轨道的杂化类型分别为、。
③乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,且相对分子质量相近,但乙二胺比三甲胺的沸点高得多,原因是。
请回答下列问题:
① 晶体中,C周围距离最近且相等的 的数目为。
②若阿伏加德罗常数的值为 ,则 晶体密度 。
①丁二酮肟中四种元素电负性由大到小的顺序为,碳原子的杂化轨道类型为。
②二(丁二酮肟)合镍(II)中存在的化学键有(填选项字母)。
A.σ键 B.π键 C.配位健 D.氢键 E.范德华力
3H2+
吡啶中大Π键可以表示为。
①图中碳原子的位置位于晶胞的。
②已知晶胞中相邻且最近的镁、碳原子间核间距为a nm,NA为阿伏加德罗常数的值,其密度为g/cm3(列出算式即可)。
该锰元素的氧化物化学式为,该晶体的密度为 (用含a、b和NA的代数式表示,NA为阿伏加德罗常数的值)。
资料:TiCl4及所含杂质氯化物的性质
化合物 | SiCl4 | TiCl4 | AlCl3 | FeCl3 | MgCl2 |
沸点/℃ | 58 | 136 | 181(升华) | 316 | 1412 |
熔点/℃ | -69 | -25 | 193 | 304 | 714 |
在TiCl4中的溶解性 | 互溶 | — | 微溶 | 难溶 |
TiO2与Cl2难以直接反应,加碳生成CO和CO2可使反应得以进行。
已知:TiO2(s)+2Cl2(g)=TiCl4(g)+O2(g) △H1=+175.4kJ·mol-1
2C(s)+O2(g)=2CO(g) △H2=-220.9kJ·mol-1
①沸腾炉中加碳氯化生成TiCl4(g)和CO(g)的热化学方程式。
②氯化过程中CO和CO2可以相互转化,根据如图Ⅲ判断:CO2生成CO反应的△H0(填“>”“<”或“=”),判断依据。
物质 | NaF | NaCl | NaBr | NaI |
熔点/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 |
物质 | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 |
熔点/℃ | −90.2 | −70.4 | 5.2 | 120.0 |
钠的卤化物熔点变化的原因是 , 影响硅的卤化物熔点的因素是,钠的卤化物的熔点比相应的硅的卤化物的熔点高得多的原因是。
①比较硫化氢与氨气键角的大小:H2SNH3(填“>”或“<”) 。
②第二周期元素中,第一电离能大于N的元素有(用元素符号表示)。
③请解释该化合物易溶于水的主要原因:。
④该环状络合物中,VSEPR模型为四面体或正四面体的非金属原子共有个。
①In的配位数为;晶体中Te原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中,则四面体空隙的占有率为。
②若晶胞底边正方形的边长均为anm,高为cnm,阿伏加德罗常数的值为NA设晶体的最简式的式量为Mr,则该晶体的密度为g·cm-3(列出计算式)。
名称 | Mg-Al合金晶胞 | SF6分子结构 | Na2O晶胞 | 干冰晶胞 |
结构模型示意图 |