a.晶体的密度:干冰>冰
b.晶体的熔点:干冰>冰
c.晶体中的空间利用率:干冰>冰
d.晶体中分子间相互作用力类型相同
a.金刚石中碳原子的杂化类型为sp3杂化,石墨中碳原子的杂化类型为sp2杂化
b.晶体中共价键的键长:金刚石中C—C<石墨中C—C
c.晶体的熔点:金刚石>石墨
d.晶体中共价键的键角:金刚石>石墨
e.金刚石晶体中只存在共价键,石墨晶体中则存在共价键、金属键和范德华力
f.金刚石和石墨的熔点都很高,所以金刚石和石墨都是原子晶体
a.离子键
b.配位键
c.非极性键
d. σ键
①写出沉淀溶解过程的离子方程式。
②Cu2+基态时核外电子排布式为。
③金属铜采取堆积。
④NH3分子空间构型为。
①上述化学方程式中非金属元素电负性由大到小的顺序是(用元素符号表示)。
②COCl2分子中所有原子均满足8电子构型,COCl2分子中σ键和π键的个数比为,中心原子的杂化方式为。
①该晶体的化学式为。
②已知该晶胞的摩尔质量为M g/mol,密度为dg·cm-3。设NA为阿伏加德罗常数的值,则该晶胞的体积是cm3(用含M、D、NA的代数式表示)。
①比较元素电负性:CN(填“>”或“<”),比较基态原子第一电离能:CPb(填“>”或“<”)
② 晶胞中与金属阳离子(M)距离最近的卤素阴离子(X)形成正八面体结构,则M在晶胞中处于位置,X在晶胞中处于位置。
③ 晶体的晶胞边长为a nm,其晶体密度为d ,则阿伏加德罗常数的值NA的计算表达式为
下列对上述过程的描述不合理的是______
与冰的晶体类型相同的是(请用相应的编号填写)
色的配合离子。请写出生成此配合离子的离子方程式:。
①已知化合物中Ge和0的原子个数比为1:4,图中Z表示____原子(填元素符号),该化合物的化学式为____;
②已知该晶胞的晶胞参数分别为a nm、b nm、c nm,a=β=γ=90°,则该晶体的密度ρ = ____cm-3(设阿伏加德罗常数的值为NA , 用含a、b、c、NA的代数式表示)。
分别用O、●表示和K+ , KH2PO4晶体的四方晶胞如图甲所示,图乙、图丙分别显示的是、K+在晶胞xz面、yz面上的位置:
①若晶胞底边的边长均为a pm、高为c pm,阿伏加德罗常数的值为NA , 晶体的密度为g·cm-3(写出表达式)。
②晶胞在x轴方向的投影图为(填序号)。
理论计算预测,由汞(Hg)、锗(Ge) 、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图甲所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。
①图乙为Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一种单元结构,它不是晶胞单元,理由是 。
②图丙为X的晶胞,X的晶体中与Hg距离最近的Sb的数目为;该晶胞中粒子个数比Hg:Ge:Sb= 。
③设X的最简式的式量为M,则X晶体的密度为g·cm-3(列出算式)。
电池充电时,LiFePO2脱出部分Li+ , 形成Li1-xFePO4 , 结构示意图如图乙所示,则x= ,n( Fe2+):n(Fe3+) =。
坐标 原子 | x | y | z |
Cd | 0 | 0 | 0 |
Sn | 0 | 0 | 0.5 |
As | 0.25 | 0.25.125 | 0 |
一个晶胞中有 个Sn,找出距离Cd(0,0,0)最近的Sn(用分数坐标表示)。CdSnAs2晶体中与单个Sn键合的As有个。