题目

砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题： （1） 写出基态As原子的核外电子排布式． （2） 根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs．（填“大于”或“小于”） （3） AsCl3分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为． （4） GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是． （5） GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g•cm﹣3 ， 其晶胞结构如图所示．该晶体的将锌片分别放入下列溶液中充分反应，反应后溶液质量比反应前减轻的是（   ）A．H2SO­4          B． AgNO3           C ．CuSO4         D．FeSO4