题目

砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答列问题： （1）写出基态As原子的核外电子排布式_____________________________________________ （2）根据元素周期律，原子半径Ga_______As，第一电离能Ga_________As。（填“>”或“<”） （3）AsCl3分子的立体构型为______________，其中As的杂化轨道类型为____________________。     （4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因为__________________。 （5）GaAs的熔点为1238℃，密（2013•东营）如果一个直角三角形的两条边长分别是6和8，另一个与它相似的直角三角形边长分别是3和4及x，那么x的值（ ）A．只有1个B．可以有2个C．有2个以上，但有限D．有无数个