题目

砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：（1）写出基态As 原子的核外电子排布式_____________。（2）根据元素周期律，原子半径 Ga_____________As（填“>”或“<”，下同），第一电离能 Ga_____________As。（3）AsCl3 分子的立体构型为_____________。（4）锗（Ge）是典型的半导体元素，比较下表中锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_____________。 GeCl4GeBr4GeI4熔点/℃−49.526146沸点/℃83.1186约 400（1）请你在如图正方形中画一个最大的圆．（2）如果该正方形的边长是4厘米，计算圆的面积．