题目

氮化镓(GaN)结构与金刚石类似，是一种半导体材料，因其具有良好的电学特性，广泛的应用于电子行业，近年智能手机的快速充电器中就使用了氮化镓材料。 （1） 基态N原子的电子排布式为；基态Ga原子核外电子能量最高的电子占据的能级为。 （2） GaN、GaP、GaAs熔点如下表所示，分析其变化原因。 晶体 GaN GaP GaAs 熔点/℃ 1700 1480 1238 （3） GaN可在高温下由金属Ga和NH3反应制取。N原子和H原子可以形成多种“惊弓之鸟”这个成语的意思是：。用来比喻那些的人。