题目

光刻胶是半导体光刻工艺的核心材料，2020年12月我国自主研发的第一支ArF光刻胶通过产品验证，打破了国外垄断。从A合成某酯类光刻胶I的一种合成路线如图所示，其中 代表的是330弱碱性环氧系阴离子交换树脂。回答下列问题： 已知：①RCH2CHO+HCHO+R′NHR″→ +H2O ②RCOCl+R′OH→RCOOR′+HCl （1） A的名称是。 （2） D的结构简式为，H中含氧官能团的名称为。 （3） 反应⑥的反应类型是。 （4） 反应④的化学方程式为。 （5） G2．Though both born and brought up in Shanghai，______ of the two brothers knows the city much better．（　　）A．the elderB．the oldestC．the oldD．the eldest